Zuletzt geändert: Fr, 13.01.2006

«K12/K13» Der Hall-Effekt «PDF», «POD»




0.0.1 Der Hall-Effekt

[Wichtig: Kleine Verschiebung der Lötstellen bei der Messung der Hallspannung resultiert in geringfügig anderer Spannung; diese kann aber "weggeeicht" werden.]

Letzte Stunde: F_{\text{el}} = \mathcal{B} e v_{\text{D}} = \mathcal{E} e = \frac{U_{\text{H}}}{d} e; \Rightarrow U_{\text{H}} = \mathcal{B} d v_{\text{D}};Fel = evD = e = UH d e; UH = dvD;

Wegen Metzler und Formelsammlung werden wir bb in dd umbenennen, also U_{\text{H}} = \mathcal{B} b v_{\text{D}};UH = bvD; \left[\frac{\mathrm{Vs}}{\mathrm{m}^2} \mathrm{m} \frac{\mathrm{m}}{\mathrm{s}}\right] Vsm 2 mm s

[Damit ist dd die Dicke des Plättchens nach hinten, bb die Höhe und ll die Breite (von links nach rechts)]

Einschub: Volumenströme

v_{\text{Wasser}} = 5 \frac{\mathrm{cm}}{\mathrm{s}};vWasser = 5cm s ;

I_{\text{Wasser}} = A \cdot v_{\text{Wasser}} = A \frac{\mathrm{d}x}{\mathrm{d}t} = \frac{\mathrm{d}V}{\mathrm{d}T};IWasser = A vWasser = Adx dt = dV dT; \left[\frac{\mathrm{m}^3}{\mathrm{s}}\right] m3 s

(Allgemein gilt: I_{\text{Volumen}} = A \cdot v_\perp;IVolumen = A v; \left[\frac{\mathrm{m}^3}{\mathrm{s}}\right] m3 s )

I_Q = \frac{\mathrm{d}Q}{\mathrm{d}T} = \underbrace{e}_{\scriptsize\begin{array}{l}\left[\mathrm{As}\right]\\\text{Ladung der}\\\text{strömungs-}\\\text{fähigen Teil-}\\\text{chen, hier:}\\\text{Ladung der}\\\text{Elektronen}\end{array}} \underbrace{n}_{\scriptsize\begin{array}{l}\left[\frac{1}{\mathrm{m}^3}\right]\\\text{Teilchendichte}\\\text{der strömungs-}\\\text{fähigen La-}\\\text{dungen, hier:}\\\text{Elektronen}\end{array}} \underbrace{\underbrace{A}_{\scriptsize\left[\mathrm{m}^2\right]} \underbrace{v_{\text{D}}}_{\scriptsize\left[\frac{\mathrm{m}}{\mathrm{s}}\right]}}_{\scriptsize\text{Volumenstrom}}\!\!;IQ = dQ dT = e As Ladung der strmungs- fhigen Teil- chen, hier: Ladung der Elektronen n 1 m3 Teilchendichte der strmungs- fhigen La- dungen, hier: Elektronen Am2 vDm s Volumenstrom;

v_{\text{D}}vD eleminierbar

v_{\text{D}} = \frac{1}{e n} \frac{I}{\underbrace{A}_{b d}};vD = 1 en I Abd;

U_{\text{H}} = \mathcal{B} b \frac{1}{e n} \frac{I}{b d} = \frac{1}{e n} \frac{I \mathcal{B}}{d} \equiv \underbrace{R_{\text{H}}}_{\left[\frac{\mathrm{m}^3}{\mathrm{C}}\right]} \underbrace{\frac{\mathcal{B} I}{d}}_{\left[\frac{\mathrm{Vs} \mathrm{C}}{\mathrm{m}^2 \mathrm{m} \mathrm{s}}\right]}\!;UH = b 1 en I bd = 1 en I d RHm3 C I d VsC m2ms;

[nn ist für die Herstellung von Hallsonden sehr wichtig, da U_{\text{H}} \sim \frac{1}{n}UH 1 n. Je kleiner nn ist – also je weniger strömungsfähige Teilchen pro Volumen vorkommen – desto größer wird UU.

Deswegen sind Hallsonden mit Kupferleitern prinzipiell nicht mög­lich; Bei p-dotierten Halbleitern ist U_{\text{H}}UH um sechs (!) Größenordnungen größer.]

0.0.1.1 Sinans Version der Berechnung der Hallspannung

F_{\text{L}} = F_{\text{el}}; \Rightarrow \mathcal{B} e v = \mathcal{E} e = \frac{U}{d} e;FL = Fel;ev = e = U d e;

U = \mathcal{B} v d;U = vd;

I = \frac{\mathrm{d}Q}{\mathrm{d}t} = \underbrace{e n}_{= \varrho_Q \,\left[\frac{\mathrm{As}}{\mathrm{m}^3}\right]} A v; \Rightarrow v = \frac{1}{e n} \frac{I}{\underbrace{A}_{= b d}};I = dQ dt = en =ϱQ Asm 3 Av; v = 1 en I A=bd;

U = \mathcal{B} d \frac{1}{e n} \frac{I}{b d} = \frac{1}{e n} \frac{\mathcal{B} I}{d};U = d 1 en I bd = 1 en I d ;